سامسونگ فراوری نسل نخست تراشه های 3 نانومتری خود را شروع کرد
به گزارش مجله چایی، سامسونگ روز گذشته رسما فراوری نسل نخست از تراشه های 3 نانومتری خود را با فناوری ساخت Gate-All-Around (به اختصار GAA) شروع کرد.
Samsung Foundry که بخش فراوری تراشه شرکت کره ای به شمار میرود، به تازگی فراوری نسل نخست از تراشه های 3 نانومتری خود را شروع نموده است. تراشه هایی که مبتنی بر فناوری ساخت نوی موسوم به Gate-All-Around هستند که باعث می گردد ترانزیستورهای بیشتری در فضای کم، روی یک تراشه قرار بگیرند.
در مقایسه با لیتوگرافی 5 نانومتری، تراشه های 3 نانومتری نو سامسونگ از لحاظ عملکرد پردازشی تا 23٪ بهتر از نسل قبل خواهند بود در حالی که 45٪ مصرف انرژی کمتری خواهند داشت. به لطف فناوری نو، اطراف تراشه هم که بیشتر شامل فضای خالی می شد، اکنون به مقدار 16٪ کاهش پیدا نموده تا شرکت فضای بیشتری برای بزرگ تر کردن سایر قطعات نظیر باتری درون یک گوشی داشته باشد.
این ها، مشخصات نسل نخست تراشه های 3 نانومتری سامسونگ هستند که از دیروز فرایند فراوری آن ها شروع شده است. گفته می گردد نسل دوم بسیار هیجان انگیزتر هم خواهد بود چرا که در مقایسه با فناوری ساخت 5 نانومتری کنونی شرکت، 50٪ بهینه تر، 30٪ سریع تر و 35٪ کوچک تر هستند. این یعنی در مقایسه با نسل نخست خود، 5٪ کم مصرف تر، 7٪ سریع تر و 19٪ کوچک تر خواهند بود که به خودی خود یک پیشرفت محسوس به شمار میرود.
به لطف این فناوری ساخت نو، سامسونگ از TSMC پیش افتاده چرا که شرکت تایوانی می خواهد اواخر سال جاری از تراشه های 3 نانومتری خود رونمایی کند. بعلاوه شایعات حاکی از آن است که این شرکت نمی خواهد از فناوری ساخت GAA استفاده کند و به همان FinFET متوسل خواهد شد. البته عملکرد TSMC در ساخت یک تراشه واقعا استثنائی است اما اگر از فناوری ساخت نو استفاده نکند و از آن طرف سامسونگ بتواند برخلاف همواره، عملکرد خوبی را از خود به نمایش بگذارد، قطعا توجه بسیاری از شرکت ها به سمت شرکت کره ای معطوف خواهد شد.
فناوری ساخت GAA به شرکت ها این اجازه را می دهد تا مقدار ترانزیستورها را کاهش دهند تا بتوانند از تعداد بیشتری از آن ها روی یک تراشه استفاده نمایند. هرچه تعداد ترانزیستورها بیشتر باشد، جریان بیشتری هم بین آن ها انتقال پیدا می نماید و در عمل، قدرت و سرعت پردازشی یک تراشه ارتقا پیدا می نماید و مصرف انرژی آن هم کمتر می گردد. با کوچک تر شدن ترانزیستورها، تعداد آن ها افزایش پیدا می نماید اما از توانایی آن ها در انتقال جریان، ذره ای کاسته نمی گردد تا بدین ترتیب شاهد یک پیشرفت چشمگیر در سرعت و مصرف انرژی تراشه های نسل بعد باشیم.
سامسونگ در حال حاضر در ساخت پردازنده شرایط خوبی ندارد و هرچه که فراوری می نماید یا داغ می نماید و یا از لحاظ قدرت و سرعت، در مقایسه با چیزی که TSMC فراوری می نماید ضعیف تر است. حال باید دید آیا با فناوری ساخت 3 نانومتری می تواند بالاخره برای یک سال هم که شده TSMC را کنار بزند یا خیر.
منبع: GSMArena
منبع: دیجیکالا مگ